XRF基本原理

原理

（ XRF ）仪器由激发源（ X 射线管）和探测系统构成。 X 射线管产生入射 X 射线（一次射线），激励被测样品。样品中的每一种元素会放射出的二次 X 射线，并且不同的元素所放出的二次射线具有特定的能量特性。探测系统测量这些放射出来的二次射线的能量及数量。然后，仪器软件将控测系统所收集的信息转换成样品中的各种元素的种类及含量。利用 X 射线荧光原理，理论上可以测量元素周期表中的每一种元素。在实际应用中，有效的元素测量范围为 11 号元素（钠 Na ）到 92 号元素（铀 U）。

XRF的筛选

X 射线荧光光谱仪是*的 RoHS 筛选检测仪器，由于其检测速度快、分辨率、实施无损检测，所以被广泛采用。 X 线荧光光谱仪品牌繁多，以至于分不出谁好谁差了。在《电子信息产品有毒有害物质的检测方法》 IEC62321 标准文本里提到： “ 用能量散射 X 射线荧光光谱法（ ED － XRF ）或波长散射 X 射线荧光光谱法（ WD － XRF ）对试样中目标物进行测试，可以是直接测量样品（不破坏样品），也可以是破坏样品使其达到 ” 均匀材料 ” （机械破坏试样）后测试。 ” 能真正准确无误地将试样筛选出合格、不合格、不确定三种类型，而且能大限度地缩小 “ 不确定 ” 部分就是好仪器。在保证既定准确度的情况下尽可能快速检测。尤其是企业选购，光谱仪是做日常 RoHS 监督检测用，非常看重这一点。所以，能够准确无误地将试样筛选出合格、不合格、不确定三种类型，又能大限度地缩小 “ 不确定 ” 部分，而且全部过程是在极短的时间内完成的 X射线荧光光谱仪是满足使用要求的光谱仪。

性能

性能无疑是评估光谱仪非常重要的指针性能优异的光谱仪做筛选检测能准确无误地排查合格和不合格，并将不确定的灰色部分压缩到小；
有的光谱仪铅砷不分、镉的特征谱线与 X光管铑电极的特征谱线重迭等。经常误判；
有的光谱仪检测镉的灵敏度不够，不能准确判定镉；
大部分光谱仪的检测稳定性受到 X光管老化、环境温度、电源波动等影响，使数值不准。
由于性能不足，可能发生错判、误判、无法判定等事件频发，不确定的灰色部分比例大增。其后果必然是成本显著提、风险增加。

关键性能参数

1） X光管的电极材料

目前 X 线荧光光谱仪基本上采用铑靶 X 光管，有钨靶 X光管的。
A．铑（ Rh）靶：铑的特征谱线与镉的特征谱线重迭；测试需要滤波器。
B．钨（ W ）靶：钨的特征谱线与铅，的特征光谱重迭，但发射强度。

2）检测器

A ．SDD：

新型的 SDD 检测器属纯硅检测器，分辨率可跟 Si-Li 检测器差不多，并且不需要液氮制冷，但稳定性不够好。是在纯 n 型硅片的射线入射面制备一大面积均匀的 pn 突变结，在另外一面的中央制备一个点状的 n 型阳极，在阳极的周围是许多同心的 p 型漂移电极。在工作时，器件两面的 pn 结加上反向电压，从而在器件体内产生一个势阱 （ 对电子 ） 。在漂移电极上加一个电位差会在器件内产生一横向电场，它将使势阱弯曲从而迫使入射辐射产生的信号电子在电场作用下先向阳极漂移，到达阳极 （ 读出电极 ） 附近才产生信号。硅漂移探测器的阳极很小因而电容很小，同时它的漏电流也很小，所以用电荷灵敏前置放大器可低噪声、快速地读出电子信号。是 Si-PIN 检测器的换代产品。

B ．SSD：

SSD 检测器属硅锂检测器，分辨率及检测灵敏度。稳定性好，但是需要液氮冷却。硅 （ 锂 ）[ Si（Li）] 探测器，也叫硅锂漂移探测器。是在 P 型硅表面蒸发一层金属锂并扩散形成 PN 结，然后在反向电压和适当温度下使锂离子在硅原子之间漂移入硅中，由于锂离子很容易吸引一个自由电子而成名，从而与硅中的 P 型（受主）杂质实现补偿而形成阻的本征层 （ 探测器的灵敏区 ） 。硅 （ 锂 ） 探测器的特点是灵敏层厚度可以做得相当大（ 3-10 毫米），因而探测器电容也比较小，探测效率，但是必须在液氮冷却下保存（因为在室温下锂离子的迁移能力已经不能忽略了，而锂离子的迁移会破坏在制备硅 （ 锂 ） 探测器时达到的精密补偿。这是硅 （ 锂 ） 探测器保存时候也需要在液氮温度的根本原因。当然还有其它原因）和工作。

C ．Si-PIN：

老的 PIN 探测器分辨率差，稳定性差，并且对测试重金属的灵敏度不够。 PIN 探测器是具有 PIN 结构的（其中间层实际上是阻的全耗尽层，其载流子很少，与本征层和绝缘体层有类似之处）用于探测光和射线的探测器件。硅 PIN 探测器室温下的漏电流在纳安（ nA ）数量级，比其上一代的硅面垒探测器要小差不多 3 个数量级，是硅面垒探测器的换代产品，但是 PIN 探测器的电容仍然和面垒探测器一样，随探测器面积的增大而正比增大，这导致探测器噪声还是偏大，同时成形时间常数不能太小因而计数率不能。这就是 PIN 探测器不仅在技术上而且在性能上也要比硅漂移探测器差整整一代的原因。